Intel anunció que ya ha comenzado la producción en masa de su tecnología de 3 nm, un gran avance desde el proceso de 4 nm. La fabricación ha comenzado en sus instalaciones en Oregón (EE.UU.) e Irlanda. Además, Intel tiene la intención de ofrecer su capacidad de producción a socios comerciales, similar a la estrategia de TSMC y Samsung.
Intel ha anunciado que utilizará su proceso de 3 nm para fabricar los procesadores Xeon de sexta generación, diseñados para servidores, con un enfoque en aplicaciones de inteligencia artificial. Según los datos revelados, este nuevo proceso mejorará el rendimiento en un 18% respecto a 4 nm, con un consumo de energía similar.
Este avance era esperado, ya que Intel introdujo por primera vez la tecnología de litografía EUV de ASML en su proceso de fabricación de 4 nm. Con mayor experiencia, están buscando avanzar aún más. Originalmente, se esperaba alcanzar este nivel a finales de 2023, pero se retrasó seis meses para mejorar el proyecto.
Intel está finalizando su producción de 3 nm con transistores «finFET» de efecto de campo. Su siguiente proyecto, el 20A, marcará el cambio a transistores «gate-all-around» (GAA), con inicio previsto a finales de 2024. Estos GAA rodearán todos los canales de silicio, mejorando el control del flujo eléctrico y reduciendo problemas como las corrientes de fuga, habituales en chips más pequeños.
Intel tiene planes de aplicar esta nueva tecnología. También será utilizada por TSMC en 2025, mientras que Samsung ya la implementó en su proceso de 3 nm, aunque enfrentó dificultades durante su producción.
Fuente: guru3d
[elfsight_social_share_buttons id="1"]
Fuente
